Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB80NF55-06T4, MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB80NF55-06T4, MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

480 шт., срок 8-10 недель

4 380 ֏

от 10 шт. — 3 460 ֏

от 25 шт. — 3 270 ֏

от 100 шт. — 2 490 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 380 ֏

Номенклатурный номер: 8004827854

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	65 ns
Forward Transconductance - Min:	150 S
Id - Continuous Drain Current:	80 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-263-3
Pd - Power Dissipation:	300 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	189 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.5 mOhms
Rise Time:	155 ns
Series:	STB80NF55, STP80NF55
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	125 ns
Typical Turn-On Delay Time:	27 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	55 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.454