STD15N60DM6, MOSFET N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STD15N60DM6, MOSFET N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2026 шт., срок 8-10 недель
2 770 ֏
от 10 шт.2 170 ֏
от 100 шт.1 640 ֏
от 250 шт.1 410 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 770 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004827927
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power МОП-транзистор

Технические параметры

Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 2500
Тип продукта MOSFET
Торговая марка STMicroelectronics
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.286Ом
Power Dissipation 110Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh DM6
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 12А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.286Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.33

Техническая документация

Datasheet STD15N60DM6
pdf, 339 КБ
Datasheet STD15N60DM6
pdf, 324 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг