STD2N62K3, MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1669 шт., срок 8-10 недель

1 930 ֏

от 10 шт. — 1 490 ֏

от 100 шт. — 1 100 ֏

от 500 шт. — 870 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 930 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827954

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 1А, 45Вт, DPAK Характеристики

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	22 ns
Id - Continuous Drain Current:	2.2 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation:	45 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	15 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.6 Ohms
Rise Time:	4.4 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	620 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.33