Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD5N62K3, MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm ...

STD5N62K3, MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1780 шт., срок 8-10 недель

1 140 ֏

от 10 шт. — 920 ֏

от 100 шт. — 770 ֏

от 500 шт. — 660 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 140 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827988

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	4.2 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Qg - заряд затвора	26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	620 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STD5N62K3
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	4.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1600@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	620
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	70000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH 3
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	21
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	26
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	26@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	680@50V
Typical Rise Time (ns)	8
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	40
Typical Turn-On Delay Time (ns)	12
Вес, г	1.5