STGB14NC60KDT4, IGBT Transistors PowerMESH&#34 IGBT

STGB14NC60KDT4, IGBT Transistors PowerMESH&#34 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
990 шт., срок 8-10 недель
2 640 ֏
от 10 шт.2 080 ֏
от 100 шт.1 550 ֏
от 250 шт.1 430 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004828488
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 25 A
Continuous Collector Current Ic Max: 25 A
Continuous Collector Current: 25 A
Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: 2 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: D2PAK-3
Pd - Power Dissipation: 80 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1190 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг