STGB14NC60KDT4, IGBT Transistors PowerMESH" IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 8-10 недель
2 640 ֏
от 10 шт. —
2 080 ֏
от 100 шт. —
1 550 ֏
от 250 шт. —
1 430 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
Continuous Collector Current: | 25 A |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 2 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 80 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1190 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары