STGP10NB60SD, IGBT Transistors N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1001 шт., срок 8-10 недель
2 980 ֏
от 10 шт. —
1 750 ֏
от 100 шт. —
1 490 ֏
от 500 шт. —
1 260 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 980 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Описание Транзистор БТИЗ, 600В 29A TO-220 Tube Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.15 mm |
Длина | 10.4 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGP10NB60SD |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары