STGP3HF60HD, IGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT Ultrafast diode

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5852 шт., срок 8-10 недель

1 450 ֏

от 10 шт. — 1 100 ֏

от 100 шт. — 810 ֏

от 500 шт. — 650 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 450 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828585

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGP3HF60HD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	7.5 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	38 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Collector Emitter Saturation Voltage	2.45В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	7.5А
Power Dissipation	38Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Вес, г	1