STGP4M65DF2, IGBT Transistors Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1960 шт., срок 8-10 недель
1 360 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
540 ֏
от 500 шт. —
467 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 360 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
TO-220 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 8 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 8 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![CRG75T60AK3HD, Транзистор IGBT 650В 75А 469Вт Trench FS III [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
