Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW100H65FB2-4, IGBT Transistors Trench gate ...

STGW100H65FB2-4, IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

42 шт., срок 8-10 недель

10 000 ֏

от 10 шт. — 9 200 ֏

от 25 шт. — 7 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828593

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Серия	HB2
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Current - Collector (Ic) (Max)	145A
Current - Collector Pulsed (Icm)	300A
ECCN	EAR99
Gate Charge	288nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-4
Power - Max	441W
REACH Status	REACH Unaffected
Series	HB2 ->
Supplier Device Package	TO-247-4
Switching Energy	1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	23ns/141ns
Test Condition	400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	145 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	441 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO247-4
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	145А
Power Dissipation	441Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	HB2
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	4.43