Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD17581Q5AT, MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET

CSD17581Q5AT, MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 050 ֏

от 10 шт. — 750 ֏

от 100 шт. — 620 ֏

от 250 шт. — 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 050 ֏

Номенклатурный номер: 8004997223

Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 30V, N-Ch NexFET Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	60 A
Pd - рассеивание мощности	83 W
Qg - заряд затвора	54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	21 ns
Время спада	10 ns
Высота	1 mm
Длина	6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	85 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	250
Серия	CSD17581Q5A
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	VSONP-8
Ширина	4.9 mm
Base Product Number	CSD17581 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	24A (Ta), 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3640pF @ 15V
Manufacturer Product Page	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 16A, 10V
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	NexFETв„ў ->
Supplier Device Package	8-VSONP (5x6)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.7V @ 250ВµA
Вес, г	2.3