CSD17585F5, MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 ֏
от 10 шт. —
420 ֏
от 100 шт. —
234 ֏
от 1000 шт. —
149 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance - Min: | 7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 5.9 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PICOSTAR-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 5.1 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
Rise Time: | 4 ns |
Series: | CSD17585F5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
Вес, г | 0.01 |
Похожие товары