VN0109N3-G, MOSFET MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 170 ֏

от 10 шт. — 1 090 ֏

от 25 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 720 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 170 ֏

Номенклатурный номер: 8005187649

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор МОП-транзистор N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V

Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	90 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Вес, г	0.4536