VN2110K1-G, MOSFET 100V 4Ohm

Фото 1/3 VN2110K1-G, MOSFET 100V 4Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790 ֏
от 25 шт.630 ֏
от 100 шт.580 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 ֏
Номенклатурный номер: 8005187666

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process.

Технические параметры

Brand: Microchip Technology/Atmel
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 5 ns
Forward Transconductance - Min: 150 mS
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 4 Ohms
Rise Time: 5 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 6 ns
Typical Turn-On Delay Time: 3 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 3Ом
Power Dissipation 360мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 200мА
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.4В
Рассеиваемая Мощность 360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 3Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Mounting Type Through Hole
Package Type SOT-23
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 756 КБ
Datasheet VN2110K1-G
pdf, 631 КБ