UMD9NFHATR, Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in

UMD9NFHATR, Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3750 шт., срок 8-10 недель
650 ֏
от 10 шт.476 ֏
от 100 шт.217 ֏
от 1000 шт.136 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005266534
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL TRANS PNP+NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 100 mV
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 68
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 250 MHz
Непрерывный коллекторный ток 100 mA, 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 4.7
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-363-6
Base Product Number UMD9 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 150mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package UMT6
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.0214

Техническая документация

Datasheet UMD9NFHATR
pdf, 1451 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг