UMD9NFHATR, Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3750 шт., срок 8-10 недель
650 ֏
от 10 шт. —
476 ֏
от 100 шт. —
217 ֏
от 1000 шт. —
136 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL TRANS PNP+NPN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA, 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 4.7 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Base Product Number | UMD9 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Power - Max | 150mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | UMT6 |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.0214 |
Техническая документация
Datasheet UMD9NFHATR
pdf, 1451 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары