2N7002BK,215, MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8-10 недель
334 ֏
от 10 шт. —
191 ֏
от 100 шт. —
91 ֏
от 1000 шт. —
60 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 334 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005271942
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 245мА, 1,2Вт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6 ns |
Время спада | 7 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 350mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 440 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 732 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 167 КБ
Datasheet 2N7002BK.215
pdf, 722 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары