2N7002NXAKR, MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB

Фото 1/2 2N7002NXAKR, MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 8-10 недель
180 ֏
от 10 шт.127 ֏
от 100 шт.62 ֏
от 1000 шт.34 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005271945
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 120мА, Idm: 0,76А, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 300 mA
Pd - рассеивание мощности 325 mW
Qg - заряд затвора 0.33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7 ns
Время спада 5 ns
Другие названия товара № 934661281215
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 11 ns
Типичное время задержки при включении 6 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet 2N7002NXAKR
pdf, 272 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг