2N7002NXBKR, MOSFET 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
![Фото 1/3 2N7002NXBKR, MOSFET 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC006571850.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/289/DOC005289098.jpg)
342180 шт., срок 8-10 недель
232 ֏
от 10 шт. —
167 ֏
от 100 шт. —
75 ֏
от 1000 шт. —
48 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 232 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005271946
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 270 mA |
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Qg - заряд затвора | 1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4.3 ns |
Время спада | 2.9 ns |
Другие названия товара № | 934661282215 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 6.9 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.7 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 2.2Ом |
Power Dissipation | 310мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 270мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.2Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 284 КБ
Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 281 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары