2N7002P,235, MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
306416 шт., срок 8-10 недель
259 ֏
от 10 шт. —
184 ֏
от 100 шт. —
84 ֏
от 1000 шт. —
49 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 259 ֏
Номенклатурный номер: 8005271948
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SOT23 Surface-Mounted Package Products Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.
Технические параметры
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: | 10000 |
Id - Continuous Drain Current: | 360 mA |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | 934064132235 |
Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 600 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002P.215
pdf, 262 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары