Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002PW,115, MOSFET 2N7002PW/SOT323/SC-70

2N7002PW,115, MOSFET 2N7002PW/SOT323/SC-70

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

49607 шт., срок 8-10 недель

407 ֏

от 10 шт. — 276 ֏

от 100 шт. — 105 ֏

от 1000 шт. — 71 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 407 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005271950

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 240мА, Idm: 1,2А, SOT323 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	310 mA
Pd - рассеивание мощности	310 mW
Qg - заряд затвора	0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	5 ns
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	310 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	260 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 2.5 V
Width	1.35mm
Automotive	Yes
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.31
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1600@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	310
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
PPAP	Unknown
Process Technology	TMOS
Product Category	Small Signal
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SC-70
Supplier Temperature Grade	Automotive
Typical Fall Time (ns)	5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	0.6@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	30@10V
Typical Rise Time (ns)	4
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	10
Typical Turn-On Delay Time (ns)	3
Вес, г	9