BSS138BKW,115, MOSFET BSS138BKW/SOT323/SC-70
![Фото 1/9 BSS138BKW,115, MOSFET BSS138BKW/SOT323/SC-70](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757513.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC006871214.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/860/DOC043860515.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452611.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/729/DOC017729010.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC035174813.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC035174822.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/310/DOC035310305.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/310/DOC035310309.jpg)
416845 шт., срок 8-10 недель
420 ֏
от 10 шт. —
241 ֏
от 100 шт. —
110 ֏
от 1000 шт. —
69 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005273999
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 310мВт, SOT323 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 480 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSS138BKW |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 38 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.48V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Lead Finish | Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
RDS-on | 1600@10V mOhm |
Typical Fall Time | 20 ns |
Typical Rise Time | 5 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BKW,115
pdf, 1580 КБ
Datasheet BSS138BKW.115
pdf, 1390 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары