Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › MJD45H11AJ, Bipolar Transistors - BJT ...

MJD45H11AJ, Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

31868 шт., срок 8-10 недель

780 ֏

от 10 шт. — 610 ֏

от 100 шт. — 411 ֏

от 500 шт. — 334 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 780 ֏

Номенклатурный номер: 8005276602

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934660552118
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	60
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	16 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	8 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	DPAK-3
Base Product Number	MJD45H11 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Current - Collector Cutoff (Max)	1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 2A, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	80MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max	1.75W
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	DPAK
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Вес, г	0.3168