Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PBHV8215Z,115, Bipolar Transistors - BJT ...

PBHV8215Z,115, Bipolar Transistors - BJT PBHV8215Z/SOT223/SC-73

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5940 шт., срок 8-10 недель

700 ֏

от 10 шт. — 610 ֏

от 100 шт. — 368 ֏

от 500 шт. — 278 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005277021

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 2А, 730мВт, SOT223 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	1.45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	934063479115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	55
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	350 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	33 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	150V
Maximum DC Collector Current	2A
Pd - Power Dissipation	1.45W
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.112