PDTC114YT,215, Digital Transistors PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

87966 шт., срок 8-10 недель

204 ֏

от 10 шт. — 113 ֏

от 100 шт. — 57 ֏

от 1000 шт. — 35 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 204 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8005277574

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 250мВт, SOT23, R1: 10кОм Характеристики

Base Product Number	PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 5V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	250mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Input Resistor	10 kΩ
Typical Resistor Ratio	0.21, 1
Вес, г	1