BC846A RF, Bipolar Transistors - BJT 80V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 шт., срок 8-10 недель
206 ֏
от 10 шт. —
140 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 206 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 313 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![КТ814Г (13г. п/п 22г., 23г.в.), Биполярный транзистор, PNP, 100В, 1.5А, 10Вт, [КТ-27 / TO-126] (=BD140)](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
