JANS2N3700, Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 000 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Похожие товары
