CSD16401Q5, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 640 ֏
от 10 шт. —
2 120 ֏
от 100 шт. —
1 700 ֏
от 250 шт. —
1 570 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Power Dissipation | 3.1Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 745 |
Похожие товары
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![AUIRF1404ZS, Транзистор, Auto Q101 Nкан 40В 180А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547835.jpg)
