Id - непрерывный ток утечки	1 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Qg - заряд затвора	8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	16 ns
Время спада	9.4 ns
Высота	3.37 mm
Длина	6.29 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.8 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	IRFD
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	15 ns
Типичное время задержки при включении	6.9 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	HVMDIP-4
Ширина	5 mm
Максимальный непрерывный ток стока	1 А
Тип корпуса	HVMDIP
Максимальное рассеяние мощности	1,3 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Размеры	5 x 6.29 x 3.37мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	6.9 ns
Производитель	Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	540 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	4
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	8.3 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	180 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
RoHS	Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	20 V
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single Dual Drain
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	1
Maximum Diode Forward Voltage (V)	2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	540@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	25
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	1300
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	8
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 175
Part Status	Active
PCB changed	4
Pin Count	4
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	DIP
Supplier Package	HVMDIP
Typical Fall Time (ns)	9.4
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	8.3(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	8.3(Max)@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	7
Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.8(Max)
Typical Gate to Source Charge (nC)	2.3(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	180@25V
Typical Output Capacitance (pF)	81
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	440
Typical Reverse Recovery Time (ns)	100
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	15@25V
Typical Rise Time (ns)	16
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	15
Typical Turn-On Delay Time (ns)	6.9
Maximum Continuous Drain Current	1 A
Maximum Drain Source Resistance	540 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	1.3 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	HVMDIP
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Width	6.29mm
Вес, г	0.3

IRFD110PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI

Описание

Технические параметры

Техническая документация

ООО «ЧИП и ДИП»