BUK7M45-40EX, MOSFET BUK7M45-40E/ SOT1210/mLFPAK

BUK7M45-40EX, MOSFET BUK7M45-40E/ SOT1210/mLFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2858 шт., срок 8-10 недель
650 ֏
от 10 шт.570 ֏
от 100 шт.385 ֏
от 500 шт.306 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 ֏
Номенклатурный номер: 8006221906
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R

Технические параметры

Automotive Yes
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A) 19
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 45@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 31000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP Unknown
Process Technology TMOS
Product Category Power MOSFET
Supplier Package LFPAK EP
Supplier Temperature Grade Automotive
Typical Fall Time (ns) 3.1
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 6.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 6.2@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 238@25V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 45@25V
Typical Rise Time (ns) 3
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 6.3
Typical Turn-On Delay Time (ns) 3.5
Вес, г 502

Техническая документация

Datasheet
pdf, 722 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг