Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSS138P,215, MOSFET BSS138P/SOT23/TO-236AB

BSS138P,215, MOSFET BSS138P/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

> 1 млн. шт., срок 8-10 недель

256 ֏

от 10 шт. — 139 ֏

от 100 шт. — 70 ֏

от 1000 шт. — 48 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 256 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8006258262

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS138P,215 от производителя NEXPERIA отличается компактным монтажом SMD и предназначен для работы в цепях с напряжением сток-исток до 60 В и током стока до 0,36 А. Этот элемент обеспечивает мощность до 0,35 Вт и имеет сопротивление в открытом состоянии всего 1,6 Ом, что делает его отличным выбором для различных электронных устройств. Корпус SOT23 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Транзистор BSS138P215 идеально подходит для области применения, требующей высокой надежности и эффективности при минимальных затратах места. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.36
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	0.35
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	1.6
Корпус	SOT23

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6О© @ 300mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.5V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	360 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.9V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.72 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	1