Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD18540Q5BT, MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET

CSD18540Q5BT, MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 770 ֏

от 10 шт. — 2 940 ֏

от 100 шт. — 2 070 ֏

от 250 шт. — 1 910 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 770 ֏

Номенклатурный номер: 8006279107

Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Development Kit:	BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	500
Fall Time:	3 ns
Forward Transconductance - Min:	116 S
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation:	188 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	41 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.2 mOhms
Rise Time:	9 ns
Series:	CSD18540Q5B
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, г	6