VN10KN3-G-P002, MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

740 ֏

от 25 шт. — 600 ֏

от 100 шт. — 580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 740 ֏

Номенклатурный номер: 8006341606

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	310 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	Through Hole
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Вес, г	0.4536