NHDTA123JTR, Digital Transistors NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3003 шт., срок 8-10 недель
269 ֏
от 10 шт. —
191 ֏
от 100 шт. —
78 ֏
от 1000 шт. —
49 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 269 ֏
Номенклатурный номер: 8006363377
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS 80V 100MA PNP
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 934661362215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 21 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Base Product Number | NHDTA123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 80В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Корпус РЧ Транзистора | TO-236AB |
| Линейка Продукции | NHDTA123JT Series |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 80В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.04соотношение |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
