STGW19NC60HD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4860 шт., срок 8-10 недель
4 120 ֏
от 30 шт. —
2 850 ֏
от 120 шт. —
2 250 ֏
от 510 шт. —
1 860 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 120 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 42 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 42 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGW19NC60HD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 688 КБ
STGW19NC60HD
pdf, 479 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
