DDTC114ECA-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
281 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
192 ֏
от 100 шт. —
85 ֏
от 500 шт. —
69 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 843 ֏
Посмотреть аналоги5
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 50мА, 200мВт, SOT23, R1: 10кОм Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Base Product Number | DDTC114 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Input Resistor | 10 kΩ |
Typical Resistor Ratio | 1 |