STGP8NC60KD
![Фото 1/5 STGP8NC60KD](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758101.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC000974128.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516953.jpg)
956 шт., срок 8-10 недель
1 970 ֏
от 50 шт. —
1 400 ֏
от 100 шт. —
1 060 ֏
от 500 шт. —
840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 970 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 600В 7A TO-220 Tube Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Base Part Number | STGP8 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
Gate Charge | 19nC |
IGBT Type | - |
Input Type | Standard |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 65W |
Reverse Recovery Time (trr) | 23.5ns |
Series | PowerMESHв(ў |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Switching Energy | 55ВµJ(on), 85ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/72ns |
Test Condition | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 15А |
Power Dissipation | 65Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerMESH |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 7 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 65 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGP8NC60KD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары