JANTX2N3498, Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 100 ֏

Мин. кол-во для заказа 17 шт.

Добавить в корзину 17 шт. на сумму 137 700 ֏

Номенклатурный номер: 8006837319

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Pd - рассеивание мощности	5 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	500 mA
Подкатегория	Transistors
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-39-3
Вес, г	1