BD242CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
900 ֏
от 10 шт. —
790 ֏
от 50 шт. —
700 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 380 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Current Gain hFE Min | 25 @ 1A @ 4 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Frequency | 3 MHz(Min) |
| Maximum Operating Temperature | 150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Package / Case | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Power Dissipation | 40000 mW |
| Product | Bipolar Small Signal Power |
| Product Category | Bipolar Transistors |
| RoHS | No |
| Transistor Polarity | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 115 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | BD242C |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -90 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
BD241C_D-2310334
pdf, 242 КБ
Datasheet
pdf, 102 КБ
Datasheet
pdf, 242 КБ
Datasheet BD242CG
pdf, 150 КБ
