STGP6NC60HD, IGBT Transistors N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3665 шт., срок 8-10 недель
1 140 ֏
от 10 шт. —
920 ֏
от 100 шт. —
720 ֏
от 500 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 600В 15A 56Вт TO220 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.9 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 7 A |
| Continuous Collector Current at 25 C | 15 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 15 A |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 56 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 600-650V IGBTs |
| Technology | Si |
| Width | 4.6 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 916 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![CRG40T100BX3S, Транзистор IGBT 1000В 40А 297Вт Trench FS III [TO-247PLUS]](https://static.chipdip.ru/lib/889/DOC037889158.jpg)
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![MSG40T65FH, Транзистор IGBT 650В 40А 280Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
