PDTD123ET,215, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2220 шт., срок 8 недель

78 ֏

Кратность заказа 20 шт.

от 100 шт. — 61 ֏

от 500 шт. — 48 ֏

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 560 ֏

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8007267820

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23 Характеристики

Brand	Nexperia
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min	40
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	PDTD123ET T/R
Pd - Power Dissipation	250 mW
Peak DC Collector Current	500 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification	AEC-Q101
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio	1
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	500 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.008