BUK768R1-100E,118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6882 шт., срок 8-10 недель
3 900 ֏
от 10 шт. —
2 990 ֏
от 100 шт. —
2 060 ֏
от 800 шт. —
1 630 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 900 ֏
Номенклатурный номер: 8007603640
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
МОП-транзистор TrenchMOS N-Channel
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 263 W |
Qg - заряд затвора | 108 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.1 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 44.1 ns |
Время спада | 49.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 72 ns |
Типичное время задержки при включении | 23.5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, кг | 41.7 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
Похожие товары