BD242B, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А
![Фото 1/4 BD242B, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752586.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436311.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173405.jpg)
469 шт. с центрального склада, срок 3 недели
368 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 30 шт. —
298 ֏
от 50 шт. —
280 ֏
от 150 шт. —
259 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 208 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Pd - рассеивание мощности | 40 W | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 9.15 mm | |
Длина | 10.4 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | BD242 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 | |
Ширина | 4.6 mm | |
Base Product Number | BD242 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 300ВµA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power - Max | 2W | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Transistor Type | PNP | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 600mA, 3A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V | |
Collector Emitter Voltage Max | 80В | |
Continuous Collector Current | 3А | |
DC Current Gain hFE Min | 10hFE | |
DC Усиление Тока hFE | 10hFE | |
Power Dissipation | 40Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V | |
Configuration | Single | |
Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Height | 9.15 mm(Max) | |
Length | 10.4 mm(Max) | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum DC Collector Current | -3 A | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -65 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 40 W | |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
RoHS | Details | |
Series | BD242 | |
Transistor Polarity | PNP | |
Width | 4.6 mm(Max) | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары