PDTC114TT,215

Фото 1/6 PDTC114TT,215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
149739 шт., срок 8-10 недель
154 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.75 ֏
от 500 шт.58 ֏
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 540 ֏
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8007871146
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 250мВт, SOT23, 10кОм Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 934034900215
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Brand Nexperia
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer Nexperia
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases PDTC114TT T/R
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 10 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Family Transistors-Bipolar(BJT)-Single, Pre-Biased
Mounting Type Surface Mount
Part Status Active
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Standard Package 1
Supplier Device Package SOT-23(TO-236AB)
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 575 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
Datasheet PDTC114TU,115
pdf, 581 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг