MJE180G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 12.5 Вт, TO-225, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

880 ֏

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 100 шт. — 560 ֏

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 11 440 ֏

Номенклатурный номер: 8000886045

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Collector Emitter Voltage Max	40В
Continuous Collector Current	3А
DC Current Gain hFE Min	12hFE
DC Усиление Тока hFE	12hFE
Power Dissipation	12.5Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-225
Частота Перехода ft	50МГц
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Factory Pack Quantity	500
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Height	11.04 mm(Max)
Length	7.74 mm(Max)
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-225-3
Packaging	Bulk
Pd - Power Dissipation	1.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MJE182
Transistor Polarity	NPN
Width	2.66 mm(Max)
Вес, г	0.454