BD243CG

Фото 1/7 BD243CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 830 ֏
от 2 шт.1 410 ֏
от 5 шт.1 080 ֏
от 10 шт.970 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 830 ֏
Номенклатурный номер: 8009034431

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор NPN, биполярный, 100В, 6А, 65Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 30
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 50
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Height 9.28 mm(Max)
Length 10.28 mm(Max)
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 6 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 65 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series BD243C
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.82 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage 100 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Power Dissipation 65 W
Minimum DC Current Gain 20
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Case TO220AB
Collector current 6A
Collector-emitter voltage 100V
Frequency 3MHz
Kind of package tube
Mounting THT
Polarisation bipolar
Power dissipation 65W
Type of transistor NPN
Вес, г 2.012

Техническая документация

Datasheet
pdf, 97 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 92 КБ