MUN5312DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 |
Type | PNP|NPN |
Configuration | Dual |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 60@5mA@10V |
Typical Input Resistor (kOhm) | 22 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 385 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 6 |
Supplier Package | SC-88 |
Standard Package Name | SC |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.9 |
Package Length | 2 |
Package Width | 1.25 |
PCB changed | 6 |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363(SC-88) |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | NPN/PNP |
Typical Input Resistor | 22 kΩ |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MUN5312DW1T1G
pdf, 100 КБ