MUN5312DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

Фото 1/4 MUN5312DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 ֏
Номенклатурный номер: 8009320820

Описание

Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, BRT, дополнительная пара, 50В

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Type PNP|NPN
Configuration Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Minimum DC Current Gain 60@5mA@10V
Typical Input Resistor (kOhm) 22
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.3mA@10mA
Typical Resistor Ratio 1
Maximum Power Dissipation (mW) 385
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 6
Supplier Package SC-88
Standard Package Name SC
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.9
Package Length 2
Package Width 1.25
PCB changed 6
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Operating Temperature +150 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363(SC-88)
Transistor Configuration Isolated
Transistor Type NPN/PNP
Typical Input Resistor 22 kΩ
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MUN5312DW1T1G
pdf, 100 КБ