IRLU014PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
212 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 19 шт. —
191 ֏
от 38 шт. —
174 ֏
от 75 шт. —
161 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Технические параметры
Корпус | TO-251AA | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | IPAK(TO-251) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
Width | 2.39mm | |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 809 КБ
Datasheet
pdf, 2160 КБ
Datasheet IRLU014PBF
pdf, 798 КБ
Похожие товары