STGP10NB60S, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

54 шт. с центрального склада, срок 3 недели

476 ֏

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 407 ֏

от 19 шт. — 372 ֏

от 37 шт. — 359 ֏

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 380 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009431863

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт

Корпус	TO-220AB
Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	10 A
Continuous Collector Current at 25 C	20 A
Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Factory Pack Quantity	1000
Gate-Emitter Leakage Current	+/-100 nA
Height	9.15 mm
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	80 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	600-650V IGBTs
Technology	Si
Width	4.6 mm
Вес, г	2