STY105NM50N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. с центрального склада, срок 3 недели
14 300 ֏
от 2 шт. —
13 400 ֏
от 5 шт. —
12 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 300 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Id - Continuous Drain Current | 88 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Max247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 625 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Вес, г | 10.67 |
Техническая документация
Datasheet STY105NM50N
pdf, 902 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 19 июня1 | бесплатно |
| HayPost | 23 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
