STT4P3LLH6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
327 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 190 ֏
от 2 шт. —
1 800 ֏
от 5 шт. —
1 500 ֏
от 10 шт. —
1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 190 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 3.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -4 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 48 mOhms |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | P-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.5 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | STT4P3LLH6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 416 КБ
Datasheet STT4P3LLH6
pdf, 435 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242335.jpg)
![AUIRF1010ZS, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/866/DOC000866654.jpg)
