Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › Транзистор PMBTA06.215

Транзистор PMBTA06.215

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

71 шт., срок 4 недели

14 ֏

Мин. кол-во для заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 350 ֏

Альтернативные предложения6

Номенклатурный номер: 8012584125

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 0,5А, 250мВт, SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	PMBTA06 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	80V
Maximum DC Collector Current	500mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Transistor Type	NPN
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Emitter Base Voltage	4 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Lead Finish	Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.25@10mA@100mA V
Mounting	Surface Mount
MSL Level	1
Operating Temperature	-65 to 150 °C
Product Dimensions	3x1.4x1 mm
Supplier Package	TO-236AB
Type	NPN
Вес, г	0.05